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BYV26EGP/65

更新时间： 2024-01-10 10:52:08

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	346K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN

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BYV26EGP/65 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-15	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AC
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向恢复时间：	0.075 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BYV26EGP/65 数据手册

BYV26DGP & BYV26EGP

Vishay General Semiconductor

Glass Passivated Ultrafast Rectifier

Major Ratings and Characteristics

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

t_rr

1.0 A

800 V, 1000 V

30 A

75 ns

V_F

1.3 V

T_jmax.

175 °C

DO-204AC (DO-15)

* Glass Encapsulation

technique is covered by

Patent No. 3,996,602,

brazed-lead assembly

to Patent No. 3,930,306

Features

Mechanical Data

• Cavity-free glass-passivated junction

• Ultrafast reverse recovery time

• Low forward voltage drop

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

Case: DO-204AC, molded epoxy over glass body

Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high

reliability grade (AEC Q101 qualified)

• Meets environmental standard MIL-S-19500

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds

Polarity: Color band denotes cathode end

Typical Applications

For use in high frequency rectification and freewheel-

ing application in switching mode converters and

inverters for consumer, computer and Telecommuni-

cation

Maximum Ratings

T_A= 25 °C unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_RRM

BYV26DGP

800

BYV26EGP

1000

Unit

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RMS

V_DC

560

800

700

Maximum DC blocking voltage

1000

Maximum average forward rectified current 0.375" (9.5 mm)

lead length (See Fig. 1)

I_F(AV)

1.0

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

Non repetitive peak reverse energy ⁽¹⁾

I_FSM

E_RSM

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 65 to + 175

Notes:

(1) Peak reverse energy measured at I_R= 400 mA, T_J= T_Jmax. on inductive load, t = 20 µs

Document Number 88554

10-Aug-05

www.vishay.com

12 3 4

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与BYV26EGP/65相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BYV26EGP/65-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
BYV26EGP/66	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
BYV26EGP/66-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
BYV26EGP/68	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
BYV26EGP/68-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
BYV26EGP/70	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
BYV26EGP/70-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
BYV26EGP/71	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
BYV26EGP/71-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
BYV26EGP/73	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN

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