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BYV26EGP-E3/23

更新时间： 2024-09-24 15:28:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 93K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-15, 2 PIN

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BYV26EGP-E3/23 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-15包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.27其他特性：FREE WHEELING DIODE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-204ACJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：0.075 µs表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

BYV26EGP-E3/23 数据手册

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BYV26DGP & BYV26EGP  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Ultrafast Rectifier  
FEATURES  
• Cavity-free glass-passivated junction  
• Ultrafast reverse recovery time  
• Low forward voltage drop  
• Low switching losses, high efficiency  
• High forward surge capability  
• Meets environmental standard MIL-S-19500  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
DO-204AC (DO-15)  
* Glass Encapsulation  
technique is covered by  
Patent No. 3,996,602,  
brazed-lead assembly  
to Patent No. 3,930,306  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency rectification and free-  
wheeling application in switching mode converters  
and inverters for consumer, computer and  
telecommunication.  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
trr  
1.0 A  
800 V, 1000 V  
30 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-204AC, molded epoxy over glass body  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
75 ns  
VF  
1.3 V  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
Tj max.  
175 °C  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
BYV26DGP  
800  
BYV26EGP  
1000  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
V
V
V
VRMS  
560  
700  
Maximum DC blocking voltage  
VDC  
800  
1000  
Maximum average forward rectified current 0.375" (9.5 mm)  
lead length (see Fig. 1)  
IF(AV)  
1.0  
A
A
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
30  
10  
Non repetitive peak reverse energy (1)  
ERSM  
mj  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
Note:  
(1) Peak reverse energy measured at IR = 400 mA, TJ = TJ max. on inductive load, t = 20 µs  
Document Number 88554  
29-May-06  
www.vishay.com  
1
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与BYV26EGP-E3/23相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV26EGP-E3/4 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC,
BYV26EGP-E3/4E VISHAY

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 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
BYV26EGP-E3/4F VISHAY

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 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
BYV26EGP-E3/4G VISHAY

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 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
BYV26EGP-E3/4H VISHAY

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 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
BYV26EGP-E3/51 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
BYV26EGP-E3/53 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
BYV26EGP-E3/54 VISHAY

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 		Glass Passivated Ultrafast Rectifier
BYV26EGP-E3/56 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
BYV26EGP-E3/58 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode

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