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BYV26EGP-15

更新时间： 2024-02-04 17:28:35
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描述
SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE：1000V CURRENT: 1.0A

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BYV26EGP-15 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.13
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-15JESD-30 代码：O-PALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向恢复时间：0.075 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

BYV26EGP-15 数据手册

 浏览型号BYV26EGP-15的Datasheet PDF文件第2页 
BYV26EGP-15  
SINTERED GLASS JUNCTION  
FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER  
VOLTAGE：1000V  
CURRENT: 1.0A  
DO-15  
FEATURE  
High temperature metallurgically bonded construction  
Sintered glass cavity free junction  
Capability of meeting environmental standard of  
MIL-S-19500  
High temperature soldering guaranteed  
350°C /10sec/0.375”lead length at 5 lbs tension  
Operate at Ta =55°C with no thermal run away  
Typical Ir<0.1µA  
MECHANICAL DATA  
Terminal: Plated axial leads solderable per  
MIL-STD 202E, method 208C  
Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame  
Retardant Epoxy  
Polarity: color band denotes cathode  
Mounting position: any  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated)  
SYMBOL  
units  
BYV26EGP-15  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Vrrm  
Vrms  
Vdc  
1000  
700  
V
V
V
V
Maximum DC blocking Voltage  
1000  
V(BR)R  
1100min  
Reverse avalanche breakdown voltage at IR = 0.1 mA  
Maximum Average Forward Rectified Current 3/8”lead  
length at Ta =55°C  
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
If(av)  
Ifsm  
1.0  
30  
A
A
Maximum Forward Voltage at rated Forward Current and  
50°C  
Vf  
2.5  
V
Ersm  
10  
5.0  
mJ  
Non-repetitive peak reverse avalanche energy (Note 1)  
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC blocking voltage  
Ta =25°C  
Ta =150°C  
Ir  
µA  
150.0  
75  
Maximum Reverse Recovery Time  
Typical Junction Capacitance  
(Note 2)  
(Note 3)  
(Note 4)  
Trr  
Cj  
nS  
pF  
15.0  
Typical Thermal Resistance  
Rth(ja)  
Tstg, Tj  
55.0  
°C /W  
°C  
Storage and Operating Junction Temperature  
-65 to +175  
Note: 1.R=400mA; Tj=Tjmax prior to surge; inductive load switched off  
2.Reverse Recovery Condition If =0.5A, Ir =1.0A, Irr =0.25A  
3.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc  
4.Thermal Resistance from Junction to Ambient at 3/8”lead length, P.C. Board Mounted  
Rev.A1  
www.gulfsemi.com  
12

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