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BYV26D-E3/54

更新时间： 2024-11-12 14:48:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 108K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AP, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

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BYV26D-E3/54 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-204包装说明：E-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.59外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-204AP
JESD-30 代码：E-LALF-W2元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：1 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ELLIPTICAL
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：800 V
最大反向恢复时间：0.075 µs表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BYV26D-E3/54 数据手册

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BYV26  
Vishay Semiconductors  
Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode  
Features  
• Glass passivated junction  
• Hermetically sealed package  
e2  
• Very low switching losses  
• Low reverse current  
• High reverse voltage  
• Lead (Pb)-free component  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
949539  
Terminals: Plated axial leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Applications  
Switched mode power supplies  
High-frequency inverter circuits  
Weight: approx. 369 mg  
Mechanical Data  
Case: SOD-57 Sintered glass case  
Parts Table  
Part  
Type differentiation  
VR = 200 V; IFAV = 1 A  
Package  
BYV26A  
SOD-57  
SOD-57  
SOD-57  
SOD-57  
SOD-57  
BYV26B  
BYV26C  
BYV26D  
BYV26E  
V
V
V
V
R = 400 V; IFAV = 1 A  
R = 600 V; IFAV = 1 A  
R = 800 V; IFAV = 1 A  
R = 1000 V; IFAV = 1 A  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Part  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Reverse voltage = Repetitive  
peak reverse voltage  
see electrical characteristics  
BYV26A  
VR = VRRM  
200  
BYV26B  
BYV26C  
BYV26D  
BYV26E  
VR = VRRM  
400  
600  
800  
1000  
30  
V
V
VR = VRRM  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
IFSM  
V
V
Peak forward surge current  
Average forward current  
tp = 10 ms, half sinewave  
A
IFAV  
1
A
Non repetitive reverse  
avalanche energy  
I
(BR)R = 1 A, inductive load  
ER  
10  
mJ  
Junction and storage  
temperature range  
Tj = Tstg  
- 55 to + 175  
°C  
Document Number 86040  
Rev. 1.6, 14-Apr-05  
www.vishay.com  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV26DGP GULFSEMI

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 		SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTI
BYV26DGP VISHAY

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 		Glass Passivated Ultrafast Rectifier
BYV26DGP TAYCHIPST

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 		SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER
BYV26DGP/100 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
BYV26DGP/100-E3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
BYV26DGP/23 VISHAY

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BYV26DGP/4E VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
BYV26DGP/4E-E3 VISHAY

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BYV26DGP/4F-E3 VISHAY

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