BYV26DGP

更新时间： 2024-01-22 10:24:43

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威世 - VISHAY		整流二极管
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描述
Glass Passivated Ultrafast Rectifier

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BYV26DGP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.82
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	2.2 V	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	1 A
最大重复峰值反向电压：	1400 V	最大反向恢复时间：	0.15 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn80Pb20)	Base Number Matches：	1

BYV26DGP 数据手册

BYV26DGP & BYV26EGP

Vishay General Semiconductor

Glass Passivated Ultrafast Rectifier

FEATURES

• Cavity-free glass-passivated junction

• Ultrafast reverse recovery time

• Low forward voltage drop

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Meets environmental standard MIL-S-19500

• Solder dip 260 °C, 40 s

DO-204AC (DO-15)

* Glass Encapsulation

technique is covered by

Patent No. 3,996,602,

brazed-lead assembly

to Patent No. 3,930,306

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency rectification and

freewheeling application in switching mode converters

and inverters for consumer, computer and

telecommunication.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

1.0 A

MECHANICAL DATA

Case: DO-204AC, molded epoxy over glass body

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

V_RRM

I_FSM

t_rr

800 V, 1000 V

30 A

75 ns

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

V_F

1.3 V

T_Jmax.

175 °C

E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class

1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade

(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2

whisker test

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

BYV26DGP

800

BYV26EGP

1000

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

560

700

Maximum DC blocking voltage

V_DC

800

1000

Maximum average forward rectified current 0.375" (9.5 mm)

lead length (Fig. 1)

I_F(AV)

1.0

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Non repetitive peak reverse energy ⁽¹⁾

E_RSM

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 65 to + 175

Note:

(1) Peak reverse energy measured at I_R= 400 mA, T_J= T_Jmax. on inductive load, t = 20 µs

Document Number: 88554

Revision: 20-Aug-07

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

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BYV26DGP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BYV26DGP-E3	VISHAY	功能相似	DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, LEAD FREE, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signa

与BYV26DGP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BYV26DGP/100	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
BYV26DGP/100-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
BYV26DGP/23	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
BYV26DGP/4E	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
BYV26DGP/4E-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
BYV26DGP/4F	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
BYV26DGP/4F-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
BYV26DGP/4G	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
BYV26DGP/4G-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
BYV26DGP/4H	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN

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