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BYR29F

更新时间： 2024-11-24 22:28:03

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恩智浦 - NXP		整流二极管
页数	文件大小	规格书
6页	48K
描述
Rectifier diodes ultrafast

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BYR29F 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.66
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	8 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
最大反向恢复时间：	0.075 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

BYR29F 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Rectifier diodes

ultrafast

BYR29F series

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• Low forward volt drop

• Fast switching

• Soft recovery characteristic

• Reverse surge capability

• High thermal cycling performance

• Isolated mounting tab

V_R= 500 V/ 600 V/ 700 V /

800 V

V_F≤ 1.5 V

I_F(AV)= 8 A

t_rr≤ 75 ns

GENERAL DESCRIPTION

PINNING

SOD100

Ultra-fast, epitaxial rectifier diodes

intended for use as output rectifiers

in high frequency switched mode

power supplies.

DESCRIPTION

cathode

anode

isolated

case

The BYR29F series is supplied in

the conventional leaded SOD100

package.

tab

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

BYR29F

MIN.

MAX.

UNIT

-500

500

-600

600

-700

700

-800

800

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak repetitive reverse voltage

Crest working reverse voltage

Continuous reverse voltage

T_hs≤ 136 ˚C

I_F(AV)

Average forward current¹

square wave;

δ = 0.5;

T_hs≤ 73 ˚C

I_FRM

I_FSM

Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;

_hs≤ 73 ˚C

Non-repetitive peak forward

current

t = 10 ms

t = 8.3 ms

sinusoidal; with

reapplied V_RRM(max)

T_stg

T_j

Storage temperature

Operating junction temperature

-40

150

˚C

1 Neglecting switching and reverse current losses

September 1998

Rev 1.400

12 3 4 5 6

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