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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BYR29F-500
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BYR29F-500

更新时间： 2024-11-10 22:28:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
6页 48K
描述
Rectifier diodes ultrafast

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BYR29F-500 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.75Is Samacsys：N
应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：66 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：500 V
最大反向恢复时间：0.075 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

BYR29F-500 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diodes  
ultrafast  
BYR29F series  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
• Soft recovery characteristic  
• Reverse surge capability  
• High thermal cycling performance  
• Isolated mounting tab  
VR = 500 V/ 600 V/ 700 V /  
800 V  
k
1
a
2
VF ≤ 1.5 V  
IF(AV) = 8 A  
trr ≤ 75 ns  
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOD100  
Ultra-fast, epitaxial rectifier diodes  
intended for use as output rectifiers  
in high frequency switched mode  
power supplies.  
PIN  
DESCRIPTION  
cathode  
anode  
isolated  
case  
1
2
The BYR29F series is supplied in  
the conventional leaded SOD100  
package.  
tab  
1
2
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
BYR29F  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
-500  
500  
500  
500  
-600  
600  
600  
600  
-700  
700  
700  
700  
-800  
800  
800  
800  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak repetitive reverse voltage  
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
-
-
-
V
V
V
Ths ≤ 136 ˚C  
IF(AV)  
Average forward current1  
square wave;  
-
8
A
δ = 0.5;  
Ths ≤ 73 ˚C  
IFRM  
IFSM  
Repetitive peak forward current t = 25 µs; δ = 0.5;  
-
16  
A
T
hs ≤ 73 ˚C  
Non-repetitive peak forward  
current  
t = 10 ms  
-
-
60  
66  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal; with  
reapplied VRRM(max)  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
-40  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
1 Neglecting switching and reverse current losses  
September 1998  
1
Rev 1.400  
123456

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