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BYR29X-800P

更新时间： 2024-11-12 01:26:31

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Ultrafast power diode

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BYR29X-800P 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TO-220F, 3/2 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
应用：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY POWER	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.7 V
JEDEC-95代码：	TO-220AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：	88 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
参考标准：	IEC-60134	最大重复峰值反向电压：	800 V
最大反向电流：	10 µA	最大反向恢复时间：	0.055 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

BYR29X-800P 数据手册

BYR29X-800P

Ultrafast power diode

19 October 2017

Product data sheet

1. General description

Ultrafast power diode in a SOD113 (2-lead TO-220F) plastic package.

2. Features and benefits

•

Fast switching

•

Low forward voltage drop

Soft recovery characteristic

3. Applications

•

Discontinuous Current Mode (DCM) Power Factor Correction (PFC)

High frequency switched-mode power supplies

TV power supplies

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

V_R

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

800

Unit

reverse voltage

I_F(AV)

average forward

current

δ = 0.5 ; T_h≤ 88 °C; SQW; Fig. 1;

Fig. 2; Fig. 3

I_FRM

I_FSM

repetitive peak forward δ = 0.5 ; t_p= 25 µs; T_h≤ 88 °C; SQW

current

non-repetitive peak

forward current

t_p= 10 ms; T_j(init)= 25 °C; SIN; Fig. 4

t_p= 8.3 ms; T_j(init)= 25 °C; SIN; Fig. 4

Static characteristics

V_F

forward voltage

I_F= 8 A; T_j= 25 °C; Fig. 6

I_F= 8 A; T_j= 150 °C; Fig. 6

1.4

1.2

1.7

1.5

Dynamic characteristics

t_rr

reverse recovery time I_F= 1 A; V_R= 30 V; dI_F/dt = 100 A/µs;

T_j= 25 °C; Fig. 7

12 3 4 5 6 7...10

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BYR30-600U	NXP	获取价格	RECTIFIER DIODE,600V V(RRM),DO-4
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