生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.61 |
应用: | FAST SOFT RECOVERY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.6 V |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流: | 65 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 3 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 200 V | 最大反向电流: | 5 µA |
最大反向恢复时间: | 0.1 µs | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BYM36A/30133 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYM36A/31112 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYM36A/31113 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYM36A/31133 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYM36A/33112 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYM36A/33113 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYM36A/33133 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYM36A/40112 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYM36A/40113 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYM36A/40133 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |