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BYM36A/30113

更新时间: 2024-11-25 03:10:43
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12页 383K
描述
DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

BYM36A/30113 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.61
应用:FAST SOFT RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.6 V
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大非重复峰值正向电流:65 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:3 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向电流:5 µA
最大反向恢复时间:0.1 µs表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

BYM36A/30113 数据手册

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