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BY4

更新时间: 2024-02-13 15:54:39
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 整流二极管高压IOT
页数 文件大小 规格书
2页 55K
描述
High voltage silicon rectifier diodes

BY4 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.74
应用:HIGH VOLTAGE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e2最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:4000 V
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

BY4 数据手册

 浏览型号BY4的Datasheet PDF文件第2页 
BY4, BY6  
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Absolute Maximum Ratings  
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Units  
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High voltage silicon  
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Forward Current: 1 A  
Reverse Voltage: 4000 to 6000 V  
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2)  
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3)  
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1
02-04-2004 SCT  
© by SEMIKRON  

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