BY4 ... BY16
BY4 ... BY16
High Voltage Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Hochspannungs-Gleichrichterdioden
Version 2013-04-03
Nominal current
Nennstrom
0.3 A ... 1 A
4000...16000 V
Ø 7.3 x 22 [mm]
1.9 g
7.3±0.3
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 1.2±0.05
Standard packaging taped in Reel
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Rep. peak reverse volt. Surge peak reverse volt. Max. forward current
Forward volt.
Durchlass-Spg.
VF [V] 2)
Period. Spitzensperrspg. Stoßspitzensperrspg.
Dauergrenzstrom
IFAV [A] 1)
VRRM [V]
VRSM [V]
BY4
4000
4000
1.0
1.0
0.5
0.5
0.3
< 4.0
< 6.0
BY6
6000
6000
BY8
8000
8000
< 8.0
BY12
BY16
12000
16000
12000
16000
< 10.0
< 15.0
Leakage Current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
< 1 µA
< 25 µA
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
30 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
4.5 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
-50...+150°C
-50...+150°C
Tj
TS
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 25 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
At / Bei IFAV,Tj = 25°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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