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BUX67C

更新时间： 2024-02-15 23:36:12

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	162K
描述
isc Silicon NPN Power Transistors

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BUX67C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

BUX67C 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

BUX67/A/B/C

DESCRIPTION

·Contunuous Collector Current-I_C= 2A

·Power Dissipation-P_D=35W @T_C= 25℃

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 2.5V(Max)@ I_C= 1A

APPLICATIONS

·Designed for high-speed switching and linear amplifier appli-

cation for high-voltage operational amplifiers, switching regu-

lators, converters,deflection stages and high fidelity amplifiers.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

200

300

350

400

150

250

300

350

UNIT

BUX67

BUX67A

BUX67B

BUX67C

BUX67

V_CBO

Collector-Base Voltage

BUX67A

BUX67B

BUX67C

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

V_EBO

I_C

I_CP

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

2.0

5.0

1.0

P_C

T_J

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

℃

200

-65~200

Storage Temperature

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUX69	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 90V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-218
BUX69A	ASI	获取价格	Transistor
BUX69B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 90V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-218
BUX69C	ASI	获取价格	Transistor
BUX70	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 125V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-218
BUX77	SEME-LAB	获取价格	SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR
BUX77A	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package
BUX77A_09	SEME-LAB	获取价格	SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN/PNP TRANSISTORS
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