是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-3 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.17 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 10 A | 集电极-发射极最大电压: | 400 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JEDEC-95代码: | TO-204AA | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 1.5 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BUX80_12 | COMSET |
获取价格 |
HIGH CURRENT, HIGH SPEED, HIGH POWER TRANSISTOR | |
BUX80LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 | |
BUX81 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors | |
BUX81 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors | |
BUX81 | SEME-LAB |
获取价格 |
HIGH CURRENT HIGH SPEED HIGH POWER SILICON NPN PLANAR TRANSISTOR | |
BUX82 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistors | |
BUX82 | SEME-LAB |
获取价格 |
HIGH CURRENT HIGH SPEED HIGH POWER SILICON NPN PLANAR TRANSISTOR | |
BUX82 | INFINEON |
获取价格 |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR | |
BUX83 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistors | |
BUX83 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |