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BUX80

更新时间： 2024-09-24 22:16:59

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管高压
页数	文件大小	规格书
4页	65K
描述
HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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BUX80 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.32
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	100 W	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	8 MHz
最大关闭时间（toff）：	4000 ns	最大开启时间（吨）：	500 ns
VCEsat-Max：	3 V

BUX80 数据手册

BUX80

HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTOR

■

SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE

NPN TRANSISTOR

FAST SWITCHING SPEED

APPLICATIONS

■

SWITCHING REGULATORS

MOTOR CONTROL

HIGH FREQUENCY AND EFFICENCY

CONVERTERS

DESCRIPTION

TO-3

The BUX80 is a silicon multiepitaxial mesa NPN

transistor in Jedec TO-3 metal case, particularly

intended for converters, inverters, switching

regulators

and

motors

control

system

applications.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CES

V_CER

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-emitter Voltage (V_BE= 0)

Value

800

Unit

Collector-emitter Voltage (R_BE= 50Ω)

Collector-emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-base Voltage (Ic = 0)

Collector Current

500

400

I_CM

Collector Peak Current

I_B

Base Current

P_tot

Total Power Dissipation at T_case≤ 40 C

Storage Temperature

100

^oC

T_stg

T_j

-65 to 150

150

Max Operating Junction Temperature

1/4

June 1997

12 3 4

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