BUX82

更新时间： 2024-01-21 22:30:29

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描述
isc Silicon NPN Power Transistors

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BUX82 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.2
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	6 MHz	Base Number Matches：	1

BUX82 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

BUX82/83

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 400V(Min)-BUX82

= 450V(Min)-BUX83

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for use as high-speed power switch at high

voltage.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

800

1000

400

450

500

UNIT

BUX82

BUX83

BUX82

BUX83

BUX82

BUX83

V_CES

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

V_CER

R_BE= 50Ω

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Base Current-Peak

I_BM

P_C

T_J

Collector Power Dissipation @T_C=25℃

Junction Temperature

℃

150

-65~150

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.65

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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