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BUP311D

更新时间： 2024-11-13 21:55:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
9页 73K
描述
IGBT With Antiparallel Diode Preliminary data sheet

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BUP311D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.82Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：20 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-218AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：460 ns标称接通时间 (ton)：105 ns
Base Number Matches：1

BUP311D 数据手册

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BUP 311D  
Infineon  
IGBT With Antiparallel Diode  
Preliminary data sheet  
• Low forward voltage drop  
• High switching speed  
• Low tail current  
• Latch-up free  
• Including fast free-wheel diode  
Former Development ID: BUP 3JKD  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
G
C
E
Type  
V
I
Package  
Ordering Code  
C67078-A4102  
CE  
C
BUP 311D  
1200V A  
TO-218 AB  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-gate voltage  
1200  
V
V
V
CE  
CGR  
= 20 kΩ  
1200  
± 20  
R
GE  
Gate-emitter voltage  
DC collector current  
V
GE  
A
I
C
= 25 °C  
20  
12  
T
T
C
C
= 100 °C  
Pulsed collector current, = 1 ms  
t
I
I
I
p
Cpuls  
F
= 25 °C  
40  
tbd  
tbd  
125  
T
C
Diode forward current  
= 100 °C  
T
C
Pulsed diode current, = 1 ms  
t
p
Fpuls  
= 25 °C  
T
C
Power dissipation  
= 25 °C  
W
P
tot  
T
C
Chip or operating temperature  
Storage temperature  
-55 ... + 150  
-55 ... + 150  
°C  
T
T
j
stg  
Semiconductor Group  
1
May-06-1999  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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