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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.23 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 80 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 235 ns | 最大开启时间（吨）： | 115 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK545-200B | NXP |
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PowerMOS transistor Logic level FET |
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| BUK545-50A | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK545-50B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK545-60A | NXP |
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PowerMOS transistor Logic level FET |
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| BUK545-60B | NXP |
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PowerMOS transistor Logic level FET |
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| BUK545-60H | NXP |
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PowerMOS transistor Logic level FET |
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| BUK551-100A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK551-100B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK551-60A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
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| BUK551-60B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
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