生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.83 | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas): | 100 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (ID): | 7 A | 最大漏源导通电阻: | 0.28 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 80 pF |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 28 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 235 ns | 最大开启时间(吨): | 115 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BUK545-50A | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET | |
BUK545-50B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET | |
BUK545-60A | NXP |
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PowerMOS transistor Logic level FET | |
BUK545-60B | NXP |
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PowerMOS transistor Logic level FET | |
BUK545-60H | NXP |
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PowerMOS transistor Logic level FET | |
BUK551-100A | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET | |
BUK551-100B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET | |
BUK551-60A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB | |
BUK551-60B | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB | |
BUK552 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 200V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |