5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.85 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK451-100B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
|
| BUK451-60A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
|
| BUK451-60B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
|
| BUK452-100A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
|
| BUK452-100A,127 | NXP |
获取价格 |
11A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| BUK452-100A127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 11 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp |
|
| BUK452-100B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
|
| BUK452-100B,127 | NXP |
获取价格 |
10A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| BUK452-100B127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 10 A, 100 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpo |
|
| BUK452-50A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
