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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.26 | 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 9.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 80 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 95 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 180 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 90 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK454-200B | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| BUK454-400A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK454-400B | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 4.2 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp |
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| BUK454-450B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK454-500A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| BUK454-500B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK454-500B/B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MOSFET TO220 |
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| BUK454-600A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| BUK454-600B | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 2.6 A, 600 V, 4.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp |
|
| BUK454-600B/B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL |
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