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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.89 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13 A | 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 80 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 52 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 170 ns | 最大开启时间（吨）： | 90 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK455-200B/B | ETC |
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TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL |
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| BUK455-400A | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK455-400B | NXP |
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TRANSISTOR 6.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpos |
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| BUK455-450B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK455-500A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK455-500B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK455-50A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK455-50B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK455-600A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK455-600B | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 4 A, 600 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpos |
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