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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 70 pF | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8.8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 205 ns | 最大开启时间（吨）： | 105 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK445-60A | NXP |
获取价格 |
POWERMOS TRANSISTOR |
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| BUK445-60B | NXP |
获取价格 |
POWERMOS TRANSISTOR |
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| BUK446-1000A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK446-1000B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK446-800A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK446-800A,127 | NXP |
获取价格 |
2A, 800V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| BUK446-800A127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 2 A, 800 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET Gen |
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| BUK446-800B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
|
| BUK446-800B,127 | NXP |
获取价格 |
1.7A, 800V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| BUK446-800B127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1.7 A, 800 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET G |
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