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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | HSIP, | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.84 |
| 内置保护： | OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL | 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 长度： | 10 mm |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 输出电流流向： | SINK | 标称输出峰值电流： | 43 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | HSIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE, HEAT SINK/SLUG |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 12.95 mm | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 断开时间： | 120 µs | 接通时间： | 50 µs |
| 宽度： | 4.3 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK1M200-50SDLD | NXP |
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Quad channel TOPFET |
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| BUK1M200-50SDLD,51 | NXP |
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MOSFET N-CH 50V 20SOIC |
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| BUK1M200-50SGTD | NXP |
获取价格 |
Quad channel logic level TOPFET |
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| BUK200-50X | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor TOPFET high side switch |
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| BUK200-50Y | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor TOPFET high side switch |
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| BUK200-50Y127 | NXP |
获取价格 |
IC 10 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSFM5, PLASTIC, TO-220, SOT-263-01, SEP-5, Peripheral |
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| BUK201-50X | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor TOPFET high side switch |
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| BUK201-50Y | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor TOPFET high side switch |
|
| BUK201-50Y127 | NXP |
获取价格 |
IC 15 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSFM5, PLASTIC, TO-220, SOT-263-01, SEP-5, Peripheral |
|
| BUK202-50 | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor TOPFET high side switch |
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