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BU9897GUL-W

更新时间: 2024-02-16 06:03:02
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罗姆 - ROHM 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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5页 183K
描述
Silicon Monolithic Integrated Circuit

BU9897GUL-W 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:BGA
包装说明:VCSP-11针数:11
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.8
最大时钟频率 (fCLK):0.4 MHzJESD-30 代码:R-PBGA-B11
JESD-609代码:e1长度:2.44 mm
内存密度:131072 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:11字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:16KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:0.55 mm串行总线类型:I2C
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:BALL
端子节距:0.5 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:1.99 mm
最长写入周期时间 (tWC):0.000005 msBase Number Matches:1

BU9897GUL-W 数据手册

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9897  
Lot No.  
GND  
A2 A1  
A0  
GND  
SDA  
SCL  
GND  
GND  
WP Vcc  
The A4, B4, C4 pins are set to GND inside chip.  
Please set these OPEN. Please don’t connect these GND.  
Fig.-1 PHYSICAL DIMENSION (UNIT:mm)  
REV. B  

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