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BU99901GUZ-W

更新时间： 2024-02-02 11:16:41

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罗姆 - ROHM		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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12页	281K
描述
Silicon Monolithic Integrated Circuit

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BU99901GUZ-W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	ROHS COMPLIANT, WLCSP-6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz
JESD-30 代码：	R-PBGA-B6	JESD-609代码：	e1
长度：	1.76 mm	内存密度：	32768 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	6
字数：	4096 words	字数代码：	4000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.35 mm
串行总线类型：	I2C	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	1.05 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

BU99901GUZ-W 数据手册

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◇STRUCTURE

◇PRODUCT

Silicon Monolithic Integrated Circuit

4K×8 bit Electrically Erasable PROM

BU99901GUZ-W

◇PART NUMBER

◇PHYSICAL DIMENSION

◇BLOCK DIAGRAM

◇USE

Fig.-1（VCSP30L1）

Fig.-2

General purpose

◇FEATURES

・4K words × 8 bits architecture serial EEPROM

・Wide operating voltage range (1.7V～3.6V)

・Two wire serial interface

・Self-timed write cycle with automatic erase

・32 byte Page Write mode

・Low power consumption。

Write

Read

（3.3V）： 0.6mA (Typ.)

（3.6V）： 0.6mA (Typ.)

Standby （3.6V）： 0.1μA (Typ.)

・DATA security

Write protect feature (WP pin)

Inhibit to WRITE at low VCC

・WLCSP 6pin package

・High reliability fine pattern CMOS technology

・Endurance : 100,000 erase/write cycles

・Data retention : 40 years

・Filtered inputs in SCL・SDA for noise suppression

・Initial data FFh in all address

・Pull-up resistor inputs in SCL・SDA

◇ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Supply Voltage

VCC

Ｐｄ

-0.3～6.5

Power Dissipation

Storage Temperature

Operating Temperature

Terminal Voltage

220 *1

-65～125

℃

Tstg

Topr

－

-40～85

-0.3～Vcc+1.0 *2

*1 Degradation is done at 2.2mW/℃（*1） for operation above 25℃

*2 Maximum value of Terminal Voltage is below 6.5V.

REV. A

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