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BU9877FV-E2

更新时间: 2024-02-14 05:40:03
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罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 98K
描述
EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, SSOP-8

BU9877FV-E2 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:LSSOP,针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.82
最大时钟频率 (fCLK):0.1 MHzJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e2长度:4.4 mm
内存密度:2048 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:8字数:256 words
字数代码:256工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256X8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LSSOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.25 mm串行总线类型:I2C
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN COPPER端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10宽度:3 mm
最长写入周期时间 (tWC):15 msBase Number Matches:1

BU9877FV-E2 数据手册

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BU9877FV  
Memory ICs  
Circuit operation  
(1) Synchronous data I / O timing  
t R  
t F  
t HIGH  
SCL  
t HD: STA  
t SU: DAT  
t LOW  
t HD: DAT  
SDA  
(input)  
t
BUF  
t PD  
t DH  
SDA  
(output)  
SCL  
SDA  
t SU: STA  
t HD: STA  
t SU: STO  
START BIT  
STOP BIT  
Fig. 5  
• Reading of input is done at the rising edge of SCL.  
• Output of data is synchronized to the falling edge of SCL.  
4

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