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BU9882

更新时间： 2024-01-15 14:27:53

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罗姆 - ROHM		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管
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17页	812K
描述
EEPROM, PDIP14, DIP-14

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技术参数
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BU9882 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP14,.3	针数：	14
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.83
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	JESD-30 代码：	R-PDIP-T14
JESD-609代码：	e3/e2	长度：	19.4 mm
内存密度：	2048 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	14
字数：	256 words	字数代码：	256
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP14,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.55 mm
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	4 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN/TIN COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms

BU9882 数据手册

TECHNICAL NOTE

Double-cell Memory for Plug & Play

EDID Memory

BR24C21/F/FJ/FV, BU9882/F/FV-W

BR24C21/F/FJ/FV

●Description

The BR24C21 series ICs are serial EEPROMs that support DDC1^TM/DDC2^TMinterfaces for Plug and Play displays.

●Features

1) Compatible with both DDC1^TM/DDC2^TM

2) Operating voltage range: 2.5V to 5.5V

3) Page write function: 8bytes

4) Low power consumption

Active (at 5V)

: 1.5mA (typ)

Stand-by (at 5V) : 0.1μA (typ)

5) Address auto increment function during Read operation

6) Data security

Write enable feature (VCLK)

Write protection at low Vcc

7) Various packages available: DIP-T8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8

8) Initial data=FFh

9) Data retention: 10years

10) Rewriting possible up to 100,000 times

●Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

●Recommended operating conditions

Parameter

Symbol

VCC

Rating

-0.3～+6.5

Unit

Parameter

Supply Voltage

Input Voltage

Symbol

VCC

Rating

2.5～5.5

0～VCC

Unit

Supply Voltage

800 (DIP-T8)

450 (SOP8)

450 (SOP-J8)

VIN

Power Dissipation

350 (SSOP-B8) *4

Storage

Temperature

Operating

Temperature

Terminal Voltage

Tstg

-65～+125

℃

●Memory cell characteristics

Topr

-40～+85

℃

Limits

Typ. Max.

Parameter

Min.

Unit

-0.3～VCC+0.3

Write/Erase Cycle

Data Retention

100,000

Cycle

Year

* Reduce by 8.0 mW/°C over 25°C (*1), 4.5mW/℃ (*2,3), and 3.5mW/℃ (*4)

Ver.B Oct.2005

12 3 4 5 6 7...17

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与BU9882相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BU9882-E2	ROHM	EEPROM, PDIP14, DIP-14	获取价格
BU9882F-E2	ROHM	EEPROM, PDSO14, SOP-14	获取价格
BU9882FV-W	ROHM	DDC2 DISPLAY ID ROM	获取价格
BU9882FV-WE1	ROHM	EEPROM Card, 256X8, Serial, CMOS, PDSO14	获取价格
BU9882FV-WE2	ROHM	EDID Memory (For display)	获取价格
BU9882F-W	ROHM	DDC2 DISPLAY ID ROM	获取价格