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BU9882FV-WE2

更新时间： 2024-01-28 08:50:13
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
23页 647K
描述
EDID Memory (For display)

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BU9882FV-WE2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SSOP
包装说明：ROHS COMPLIANT, SSOP-14针数：14
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：1.45
Is Samacsys：N最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz
JESD-30 代码：R-PDSO-G14长度：5 mm
内存密度：2048 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：2端子数量：14
字数：256 words字数代码：256
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256X8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSSOP
封装等效代码：TSSOP14,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.25 mm
串行总线类型：I2C最大待机电流：0.000005 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：4 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：4.4 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
Base Number Matches：1

BU9882FV-WE2 数据手册

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Memory for Plug & Play  
EDID Memory  
(For display)  
BR24C21,BR24C21F,BR24C21FJ,BR24C21FV,  
BU9882-W,BU9882F-W,BU9882FV-W  
No.11002ECT02  
BR24C21,BR24C21F,BR24C21FJ,BR24C21FV  
●Description  
BR24C21F,BR24C21FJ,BR24C21FV are serial EEPROMs that support DDC1TM/DDC2TM interfaces  
for Plug and Play displays.  
●Features  
1) Compatible with both DDC1TM/DDC2TM  
2) Operating voltage range: 2.5V to 5.5V  
3) Page write function: 8bytes  
4) Low power consumption  
Active (at 5V)  
: 1.5mA (typ)  
Stand-by (at 5V) : 0.1µA (typ)  
5) Address auto increment function during Read operation  
6) Data security  
Write enable feature (VCLK)  
Write protection at low Vcc  
7) Various packages available: DIP-T8(BR24C21) / SOP8(BR24C21F) / SOP-J8(BR24C21FJ) / SSOP-B8(BR24C21FV)  
8) Initial data=FFh  
9) Data retention: 10years  
10) Rewriting possible up to 100,000 times  
●Absolute maximum ratings (Ta=25℃)  
Parameter  
Supply Voltage  
Symbol  
VCC  
Rating  
-0.3～+6.5  
Unit  
V
*1  
*2  
*3  
*4  
800 (DIP-T8)  
450 (SOP8)  
450 (SOP-J8)  
350 (SSOP-B8)  
-65～+125  
Power Dissipation  
Pd  
mW  
Storage Temperature  
Operating Temperature  
Terminal Voltage  
Tstg  
Topr  
-
℃
℃
V
-40～+85  
-0.3～VCC+0.3  
* Reduce by 8.0 mW/C over 25C (*1), 4.5mW/℃ (*2,3), and 3.5mW/℃ (*4)  
●Memory cell characteristics  
Parameter  
Supply Voltage  
Input Voltage  
Symbol  
VCC  
VIN  
Rating  
2.5～5.5  
0～VCC  
Unit  
V
V
●Recommended operating conditions  
Limits  
Typ.  
-
Parameter  
Unit  
Min.  
Max.  
Write/Erase Cycle  
Data Retention  
100,000  
-
-
Cycle  
Year  
10  
-
www.rohm.com  
2011.08 - Rev.C  
1/22  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1234567...23

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