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BU806AN

更新时间： 2024-11-21 19:09:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
59页 342K
描述
8A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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BU806AN 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.77
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：200 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BU806AN 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
8.0 AMPERE  
DARLINGTON  
NPN POWER  
TRANSISTORS  
60 WATTS  
This Darlington transistor is a high voltage, high speed device for use in horizontal  
deflection circuits in TV’s and CRT’s.  
•
•
High Voltage: V  
= 330 or 400 V  
Fast Switching Speed:  
CEV  
t = 1.0 µs (max)  
c
200 VOLTS  
•
Low Saturation Voltage:  
V
= 1.5 V (max)  
CE(sat)  
Packaged in JEDEC TO–220AB  
Damper Diode V is specified.  
•
•
F
V
= 2.0 V (max)  
F
CASE 221A–06  
TO–220AB  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
BU806  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
200  
400  
400  
6.0  
V
CEV  
CBO  
EBO  
V
V
Collector Current — Continuous  
— Peak  
I
C
8.0  
15  
Emitter–Collector Diode Current  
Base Current  
I
10  
Adc  
Adc  
F
I
B
2.0  
Total Device Dissipation, T = 25°C  
Derate above T = 25 C  
C
P
D
60  
0.48  
Watts  
W/ C  
C
Operating and Storage Junction Temperature Range  
T , T  
–65 to 150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
2.08  
70  
Unit  
C/W  
C/W  
C
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
R
θJC  
θJA  
Lead Temperature for Soldering Purposes,  
1/8″ from Case for 5.0 Seconds  
T
L
275  
REV 1  
3–249  
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
1234567...59

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与BU806AN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BU806AS ONSEMI

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 		TRANSISTOR 8 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
BU806AU ONSEMI

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 		8A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BU806BA ONSEMI

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 		TRANSISTOR 8 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
BU806BC ONSEMI

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 		TRANSISTOR 8 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
BU806BD ONSEMI

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 		8A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BU806BG ONSEMI

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 		8A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
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 		8A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BU806BU ONSEMI

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 		8A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BU806BV ONSEMI

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 		8A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BU806C MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast

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