5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | PLASTIC, SOT-399, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.81 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 800 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 45 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 4350 ns | VCEsat-Max： | 5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BU2520D | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| BU2520D | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| BU2520D | NXP |
获取价格 |
Silicon Diffused Power Transistor |
|
| BU2520DF | NXP |
获取价格 |
Silicon Diffused Power Transistor |
|
| BU2520DF | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| BU2520DW | NXP |
获取价格 |
Silicon Diffused Power Transistor |
|
| BU2520DW | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| BU2520DW | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| BU2520DX | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
|
| BU2520DX | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
