BU2522DF

更新时间： 2024-11-24 22:35:35

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率双极晶体管
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7页	82K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BU2522DF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	800 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	45 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	2250 ns
VCEsat-Max：	5 V	Base Number Matches：	1

BU2522DF 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Silicon Diffused Power Transistor

BU2522DF

GENERAL DESCRIPTION

New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plastic

full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors. Features improved

RBSOA performance and is suitable for use in horizontal deflection circuits of pc monitors.

QUICK REFERENCE DATA

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

TYP. MAX. UNIT

V_CESM

V_CEO

I_C

Collector-emitter voltage peak value

V_BE= 0 V

1500

800

Collector-emitter voltage (open base)

Collector current (DC)

I_CM

Collector current peak value

Total power dissipation

Collector-emitter saturation voltage

Collector saturation current

Diode forward voltage

P_tot

V_CEsat

I_Csat

V_F

T_hs≤ 25 ˚C

5.0

2.2

0.25

I_C= 6.0 A; I_B= 1.2 A

f = 64 kHz

I_F= 6.0 A

t_f

Fall time

I_Csat= 6.0 A; f = 64 kHz

0.12

µs

PINNING - SOT199

PIN CONFIGURATION

SYMBOL

DESCRIPTION

case

base

collector

emitter

Rbe

case isolated

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN. MAX. UNIT

V_CESM

V_CEO

I_C

Collector-emitter voltage peak value

V_BE= 0 V

1500

800

Collector-emitter voltage (open base)

Collector current (DC)

I_CM

Collector current peak value

Base current (DC)

I_B

I_BM

-I_B(AV)

-I_BM

P_tot

T_stg

T_j

Base current peak value

Reverse base current

average over any 20 ms period

150

Reverse base current peak value ¹

Total power dissipation

Storage temperature

T_hs≤ 25 ˚C

˚C

-65

150

Junction temperature

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

TYP. MAX. UNIT

R_{th j-hs}

R_{th j-a}

Junction to heatsink

Junction to ambient

with heatsink compound

in free air

2.8

K/W

1 Turn-off current.

September 1997

Rev 1.200

12 3 4 5 6 7

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