BU2520D

更新时间： 2024-11-25 09:01:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	45K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BU2520D 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BU2520D 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BU2520D

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High voltage,high speed

·Built-in damper diode

APPLICATIONS

·For use in horizontal deflection circuits of

large screen colour TV receivers.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-peak

Base current(DC)

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

1500

800

7.5

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

I_B

I_BM

Base current-peak

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

125

150

-65~150

℃

T_j

T_stg

12 3

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