Datasheet > BU25105S-E3/45

BU25105S-E3/45

更新时间： 2024-11-25 20:54:51

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
5页	123K
描述
RECTFR BRIDGE SGL 1KV 3.5A 4PIN CASE BU-5S - Rail/Tube

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BU25105S-E3/45 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.95 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	300 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	3.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BU25105S-E3/45 数据手册

BU2506, BU2508, BU2510

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Enhanced isoCink+™ Bridge Rectifiers

FEATURES

• UL recognition file number E312394

• Thin single in-line package

• Glass passivated chip junction

• Available for BU-5S lead forming option (part

number with “5S” suffix, e.g. BU25065S)

Available

• Superior thermal conductivity

isoCink+™

Case Style BU

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification

for switching power supply, home appliances and

white-goods applications.

MECHANICAL DATA

PRIMARY CHARACTERISTICS

Case: BU

Package

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

I_F(AV)

25 A

V_RRM

I_FSM

600 V, 800 V, 1000 V

Base P/N-M3

- halogen-free, RoHS-compliant, and

300 A

5 μA

commercial grade

I_R

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 and M3 suffix meet JESD 201 class 1A whisker test

V_Fat I_F= 12.5 A

T_Jmax.

0.87 V

150 °C

In-line

Polarity: as marked on body

Circuit configuration

Mounting Torque: 10 cm-kg (8.8 inches-lbs) max.

Recommended Torque: 5.7 cm-kg (5 inches-lbs)

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

BU2506

BU2508

800

BU2510

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

600

1000

_C= 60 °C ⁽¹⁾

T_A= 25 °C ⁽²⁾

Average rectified forward current (Fig. 1, 2)

I_O

3.5

Non-repetitive peak forward surge current

8.3 ms single sine-wave, T_J= 25 °C

I_FSM

300

Rating for fusing (t < 8.3 ms) T_J= 25 °C

I²t

373

A²s

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-55 to +150

Notes

(1)

With 60 W air cooled heatsink

Without heatsink, free air

(2)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

TEST CONDITIONS

SYMBOL

TYP.

0.97

0.87

MAX.

UNIT

T_A= 25 °C

1.05

0.95

5.0

350

Maximum instantaneous forward

I_F= 12.5 A

rated V_R

V_F

voltage per diode ⁽¹⁾

T_A= 125 °C

T_A= 25 °C

T_A= 125 °C

Maximum reverse current per diode

I_R

μA

120

125

Typical junction capacitance per diode 4.0 V, 1 MHz

Note

C_J

(1)

Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle

Revision: 29-Aug-17

Document Number: 84805

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

BU25105S-E3/45 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BU2510-E3/45	VISHAY	完全替代	Diode Rectifier Bridge Single 1KV 3.5A 4-Pin Case BU Tube
BU2510-E3/51	VISHAY	功能相似	RECTFR BRIDGE SGL 1KV 3.5A 4PIN CASE BU - Bulk

与BU25105S-E3/45相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BU25105S-M3/45	VISHAY	获取价格	25A,1000V,STD,INLINE POWER BRIDGE
BU2510-E3/45	VISHAY	获取价格	Diode Rectifier Bridge Single 1KV 3.5A 4-Pin Case BU Tube
BU2510-E3/51	VISHAY	获取价格	RECTFR BRIDGE SGL 1KV 3.5A 4PIN CASE BU - Bulk
BU2510-E3/72	VISHAY	获取价格	DIODE 3.5 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4, B
BU2510-M3/45	VISHAY	获取价格	25A,1000V,STD,INLINE POWER BRIDGE
BU2510-M3/51	VISHAY	获取价格	25A,1000V,STD,INLINE POWER BRIDGE
BU2515AF	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BU2515AF	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
BU2515AF	NXP	获取价格	Silicon Diffused Power Transistor
BU2515AX	NXP	获取价格	Silicon Diffused Power Transistor

与BU25105S-E3/45相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

40
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

32
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

60
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

56

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BU25105S-E3/45

BU25105S-E3/45 技术参数

BU25105S-E3/45 数据手册

BU25105S-E3/45 替代型号

与BU25105S-E3/45相关器件

与BU25105S-E3/45相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BU25105S-E3/45

BU25105S-E3/45 技术参数

BU25105S-E3/45 数据手册

BU25105S-E3/45 替代型号

与BU25105S-E3/45相关器件

与BU25105S-E3/45相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？