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BTS630

更新时间： 2024-11-20 22:39:43

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英飞凌 - INFINEON		灯具装置
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8页	137K
描述
PWM Power Unit (The device allows continuous power control for lamps,LEDs or inductive loads.)

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BTS630 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	TO-220, 7 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.76	模拟集成电路 - 其他类型：	FLUORESCENT LIGHT CONTROLLER
控制技术：	PULSE WIDTH MODULATION	最大输入电压：	16.9 V
最小输入电压：	5.9 V	标称输入电压：	12 V
JESD-30 代码：	R-PZFM-T7	JESD-609代码：	e0
功能数量：	1	端子数量：	7
最大输出电流：	20 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	切换器配置：	SINGLE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	ZIG-ZAG	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

BTS630 数据手册

BTS 630

PWM Power Unit

The device allows continuous power control for lamps,LEDs

or inductive loads.

•

Highside switch

Overtemperatur protection

Short circuit / overload protection through pulse widt

reduction and overload shutdown

Load dump protection

Undervoltage and overvoltage shutdown with auto-restart

and hysteresis

•

Standard

•

Reverse battery protection 1)

Timing frequency adjustable

Controlled switching rise and fall times

Maximum current internally limited

Protection against loss of GND 2)

Electrostatic discharge (ESD) protection

Package: TO220/7 and TO220/7 E3128 (SMD), Pin 4 is

shorted to the mounting flange

Note:

Switching frequency is programmed with an external capacitor.

Type

Ordering Code

Marking

Package

BTS630 (Standard)

BTS630

Q67060-S6305-A2

Q67060-S6305-A3

TO220/7

TO220/7, E3230

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

V_{bb (AZ)}

I_SC

Values

Unit

Active overvoltage prodection

Short circuit current

>40

self-limited

I_Ct

Input current (DC)

I_VC

Pin1 ( ) and pin19 ( )

T_j

Operating temperature range

Storage temperature range

-40...+150

-50...+150

T_stg

Power dissipation

T_a=25°C

P_tot

Thermal resistance chip-case

R_{th JC}

R_{th JA}

K/W

≤ 1.67

≤ 75

chip-ambient

¹⁾With 150Ω resistor in signal GND connection.

²⁾Potential between signal GND and load GND >0.5V

Semiconductor Group

12.96

12 3 4 5 6 7 8

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