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BTS611L1E3230

更新时间： 2024-11-20 22:31:55
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英飞凌 - INFINEON 开关电源开关
页数 文件大小 规格书
14页 195K
描述
Smart Two Channel Highside Power Switch

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BTS611L1E3230 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：, SIP7,.1,50TB针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.33
内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE驱动器位数：2
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PSFM-T7
功能数量：2端子数量：7
输出电流流向：SOURCE最大输出电流：1.8 A
标称输出峰值电流：7.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：SIP7,.1,50TB封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT电源：12/24 V
认证状态：Not Qualified子类别：Peripheral Drivers
最大供电电压：34 V最小供电电压：5 V
标称供电电压：12 V表面贴装：NO
技术：MOS端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：1.27 mm端子位置：SINGLE
断开时间：400 µs接通时间：400 µs
Base Number Matches：1

BTS611L1E3230 数据手册

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®
PROFET BTS 611 L1  
Smart Two Channel Highside Power Switch  
Features  
Product Summary  
•
•
•
•
•
•
•
•
Overload protection  
Overvoltage protection Vbb(AZ)  
43  
V
Current limitation  
Short circuit protection  
Thermal shutdown  
Overvoltage protection (including load dump)  
Fast demagnetization of inductive loads  
Reverse battery protection  
Undervoltage and overvoltage shutdown with  
auto-restart and hysteresis  
V
5.0 ... 34 V  
both  
parallel  
Operating voltage  
bb(on)  
channels: each  
On-state resistance RON  
Load current (ISO) IL(ISO)  
Current limitation  
200  
2.3  
4
100  
4.4  
4
mΩ  
A
1
)
IL(SCr)  
A
•
•
•
•
•
Open drain diagnostic output  
Open load detection in ON-state  
CMOS compatible input  
TO-220AB/7  
Loss of ground and loss of V protection  
bb  
Electrostatic discharge (ESD) protection  
7
7
7
Application  
1
1
1
•
Straight leads  
µC compatible power switch with diagnostic  
SMD  
Standard  
feedback for 12 V and 24 V DC grounded loads  
•
•
All types of resistive, inductive and capacitve  
loads  
Replaces electromechanical relays, fuses and discrete circuits  
General Description  
N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic  
feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS technology. Fully protected by embedded protection  
functions.  
+ V  
bb  
4
Curre nt  
lim it 1  
G a te 1  
p ro te c tio n  
Vo lta g e  
so urc e  
Ove rvo lta g e  
p ro te c tio n  
V
Logic  
OUT1  
Lim it fo r  
unc la m p e d  
ind . lo a d s 1  
Le ve l shifte r  
Re c tifie r 1  
Volta g e  
se nso r  
1
Te m p e ra ture  
se nso r 1  
3
6
IN1  
IN2  
Cha rg e  
p um p 1  
Op e n lo a d  
Sho rt to Vb b  
d e te c tio n 1  
Log ic  
ESD  
Cha rg e  
p um p 2  
5
G a te 2  
p ro te c tio n  
ST  
Curre nt  
lim it 2  
OUT2  
Le ve l shifte r  
Re c tifie r 2  
Lim it fo r  
unc la m p e d  
ind . lo a d s 2  
7
Load  
Te m p e ra ture  
se nso r 2  
Op e n lo a d  
Sho rt to Vb b  
d e te c tio n 2  
R
R
O1  
O2  
GND  
GND  
PROFET  
2
Signal GND  
Load GND  
1)  
With external current limit (e.g. resistor R =150 Ω) in GND connection, resistor in series with ST  
GND  
connection, reverse load current limited by connected load.  
Semiconductor Group  
1
12.96  
1234567...14

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