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BTS307E3043

更新时间： 2024-01-21 08:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网驱动接口集成电路驱动器
页数 文件大小 规格书
12页 273K
描述
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 1 Driver, 10A, MOS, PSFM5, STRAIGHT, TO-220AB, 5 PIN

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BTS307E3043 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：,针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.67
内置保护：OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL输入特性：SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PSFM-T5
功能数量：1端子数量：5
输出特性：OPEN-SOURCE输出电流流向：SOURCE
标称输出峰值电流：10 A输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大供电电压：58 V最小供电电压：5.8 V
标称供电电压：12 V表面贴装：NO
技术：MOS端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE断开时间：70 µs
接通时间：80 µsBase Number Matches：1

BTS307E3043 数据手册

 浏览型号BTS307E3043的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BTS307E3043的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BTS307E3043的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BTS307E3043的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BTS307E3043的Datasheet PDF文件第10页浏览型号BTS307E3043的Datasheet PDF文件第11页 
BTS 307  
Options Overview  
all versions: High-side switch, Input protection, ESD protectionand reverse battery  
protection with 150 Ω in GND connection, protection against loss of ground  
Type  
BTS 410D2 410E2 410G2 410H2 307  
308  
Logic version  
D
X
E
X
G
X
H
X
Overtemperature protection with hysteresis  
T >150 °C, latch function10 11  
X
X
)
)
j
X
T >150 °C, with auto-restart on cooling  
j
Short circuit to GND protection  
switches off when V >3.5 V typ. and Vbb> 8 V  
X
ON  
)
10  
typ (when first turned on after approx. 150 µs)  
10)  
switches off when V >8.5 V typ.  
X
X
ON  
(when first turned on after approx. 150 µs)  
X
X
Achieved through overtemperature protection  
X
X
Open load detection  
in OFF-state with sensing current 6 µA typ.  
in ON-state with sensing voltage drop across  
power transistor  
X
X
X
X
Undervoltage shutdown with auto restart  
Overvoltage shutdown with auto restart  
X
X
X
X
X
X
X
X
X
-
X
X
Status feedback for  
overtemperature  
X
X
X
X
X
X
X
-
X
X
X
X
X
-
X
X
X
X
-
short circuit to GND  
X
12)  
X
-
12)  
12  
)
short to V  
bb  
-
-
-
open load  
X
X
X
X
-
X
-
undervoltage  
overvoltage  
Status output type  
CMOS  
-
-
-
-
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
Open drain  
Output negative voltage transient limit  
(fast inductive load switch off)  
to V - V  
bb ON(CL)  
X
X
X
X
X
X
Load current limit  
high level (can handle loads with high inrush currents)  
low level (better protection of application)  
Protection against loss of GND  
X
X
X
X
X
X
X
X
10  
)
Latch except when Vbb -VOUT < VON(SC) after shutdown. In most cases VOUT = 0 V after shutdown (V  
≠
OUT  
0 V only if forced externally). So the device remains latched unless Vbb < VON(SC) (see page 4). No latch  
between turn on and t  
With latch function. Reseted by a) Input low, b) Undervoltage, c) Overvoltage  
.
d(SC)  
11  
12  
)
)
Low resistance short V to output may be detected in ON-state by the no-load-detection  
bb  
Semiconductor Group  
8
2003-Oct-01  
1...56789101112

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