BTS3118DXT

更新时间： 2024-09-24 12:59:19

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英飞凌 - INFINEON		开关接口集成电路电源开关驱动
页数	文件大小	规格书
10页	219K
描述
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 15A, MOS, PSSO2, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN

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BTS3118DXT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	TO-252,
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.62	内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	长度：	6.5 mm
功能数量：	1	端子数量：	2
输出电流流向：	SINK	标称输出峰值电流：	15 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TO-252
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.5 mm	标称供电电压：	12 V
表面贴装：	YES	技术：	MOS
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	2.28 mm	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	断开时间：	100 µs
接通时间：	100 µs	宽度：	6.22 mm
Base Number Matches：	1

BTS3118DXT 数据手册



HITFET = BTS 3118 D

Smart Lowside Power Switch

Features

Logic Level Input

Product Summary

Drain source voltage

100

2.4

Input Protection (ESD)

Thermal shutdown

Overload protection

Short circuit protection

Overvoltage protection

Current limitation

On-state resistance

Nominal load current

Clamping energy

DS(on)

D(Nom)

Analog driving possible

Application

All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching

or linear applications

µC compatible power switch for 12 V DC applications

Replaces electromechanical relays and discrete circuits

General Description

N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected by embedded

protection functions.

Vbb

Drain

HITFET

Pin 2 and 4 (TAB)

Current

Overvoltage-

Protection

Limitation

Gate-Driving

Unit

Pin 1

Over-

Overload

Short circuit

Protection

temperature

Protection

ESD

Protection

Pin 3

Source

Page 1

2002-09-04

12 3 4 5 6 7...10

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