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Datasheet > 暂无类别数据> BTA212X-600F
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BTA212X-600F

更新时间： 2024-11-24 22:08:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅极触发装置可控硅三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
7页 52K
描述
Three quadrant triacs guaranteed commutation

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BTA212X-600F 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否无铅：不含铅
是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.17Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：50 V/us最大直流栅极触发电流：25 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：30 mA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大漏电流：0.5 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：12 A
重复峰值关态漏电流最大值：500 µA断态重复峰值电压：600 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：TRIACBase Number Matches：1

BTA212X-600F 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Three quadrant triacs  
guaranteed commutation  
BTA212X series D, E and F  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Passivated guaranteed commutation  
triacs in a full pack, plastic envelope  
intended for use in motor control circuits  
or with other highly inductive loads.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX. MAX. UNIT  
BTA212X-  
BTA212X-  
BTA212X-  
600D  
-
600E 800E  
600F 800F  
These  
devices  
balance  
the  
requirements  
of  
commutation  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
600  
800  
V
performance and gate sensitivity. The  
"sensitive gate" E series and "logic level"  
D series are intended for interfacing with  
low power drivers, including micro  
controllers.  
IT(RMS)  
ITSM  
12  
95  
12  
95  
A
A
PINNING - SOT186A  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
main terminal 1  
case  
T2  
T1  
2
main terminal 2  
gate  
3
G
1
2 3  
case isolated  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-600  
6001  
-800  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
full sine wave;  
12  
A
Ths ≤ 56 ˚C  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave;  
Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
t = 20 ms  
-
-
-
95  
105  
45  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
t = 10 ms  
A2s  
A/µs  
dIT/dt  
ITM = 20 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
100  
IGM  
-
-
-
-
2
5
5
A
V
W
W
VGM  
PGM  
PG(AV)  
over any 20 ms  
period  
0.5  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-40  
-
150  
125  
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
February 2000  
1
Rev 1.000  
1234567

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BTA212X-600F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BTA316-800B WEEN

功能相似

 Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT78 plastic package intende
BTA16-600BW3G LITTELFUSE

功能相似

 此三端双向可控硅专门用于需要高抗扰度和换向di/dt的高性能全波交流控制应用。 功能与特色

与BTA212X-600F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BTA212X-600F,127 NXP

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 		BTA212X-600F
BTA212X-800B NXP

获取价格

 		Three quadrant triacs high commutation
BTA212X-800B WEEN

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 		Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT186A (TO-220F) "full pack"
BTA212X-800C NXP

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 		Three quadrant triacs high commutation
BTA212X-800D WEEN

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 		Three quadrant triacs guaranteed commutation
BTA212X800F PHILIPS

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 		TRIAC, 800V V(DRM), 12A I(T)RMS
BTA212X-800F NXP

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BTA212X-BTA212X NXP

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