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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> BTA216-600D
BTA216-600D PDF预览

BTA216-600D

更新时间： 2024-09-29 00:00:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 可控硅
页数 文件大小 规格书
5页 24K
描述
Three quadrant triacs guaranteed commutation

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BTA216-600D 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否无铅： 不含铅
是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.17
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：30 V/us最大直流栅极触发电流：5 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：15 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大漏电流：0.5 mA
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：16 A
断态重复峰值电压：600 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

BTA216-600D 数据手册

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Philips Semiconductors  
Objective specification  
Three quadrant triacs  
guaranteed commutation  
BTA216 series D, E and F  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Passivated guaranteed commutation  
triacs in a plastic envelope intended for  
use in motor control circuits or with other  
highly inductive loads. These devices  
balance the requirements of commutation  
performance and gate sensitivity. The  
"sensitive gate" E series and "logic level"  
D series are intended for interfacing with  
low power drivers, including micro  
controllers.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX. MAX. UNIT  
BTA216-  
BTA216-  
BTA216-  
600D  
-
600E 800E  
600F  
600  
800F  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
V
IT(RMS)  
ITSM  
16  
140  
16  
140  
A
A
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
main terminal 1  
tab  
T2  
T1  
2
main terminal 2  
gate  
3
G
1 2 3  
tab main terminal 2  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-600  
6001  
-800  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
full sine wave;  
16  
A
Tmb ≤ 99 ˚C  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave;  
Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
t = 20 ms  
-
-
-
-
140  
150  
98  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
t = 10 ms  
A2s  
A/µs  
dIT/dt  
ITM = 20 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
100  
IGM  
-
-
-
-
2
5
5
A
V
W
W
VGM  
PGM  
PG(AV)  
over any 20 ms  
period  
0.5  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-40  
-
150  
125  
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
October 1999  
1
Rev 1.100  
12345

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BTA216-600D 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BTA316-800B WEEN

功能相似

 Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT78 plastic package intende
BTA16-600BW3G LITTELFUSE

功能相似

 此三端双向可控硅专门用于需要高抗扰度和换向di/dt的高性能全波交流控制应用。 功能与特色

与BTA216-600D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BTA216-600E NXP

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 		Three quadrant triacs guaranteed commutation
BTA216-600E WEEN

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BTA216-600F NXP

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