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BT234X-800E

更新时间： 2024-11-13 21:09:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
13页 179K
描述
800V, 4A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB, PLASTIC, TO-220F, FULLPACK-3

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BT234X-800E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.74
其他特性：SENSITIVE GATE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大均方根通态电流：4 A
断态重复峰值电压：800 V表面贴装：NO
端子面层：TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

BT234X-800E 数据手册

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F
0
2
2
-
O
T
BT234X-800E  
4Q Triac  
24 September 2013  
Product data sheet  
1. General description  
Planar passivated four quadrant triac in a SOT186A (TO-220F) "full pack" plastic  
package intended for use in general purpose bidirectional switching and phase control  
applications. This sensitive gate "series E" triac is intended to be interfaced directly to  
microcontrollers, logic integrated circuits and other low power gate trigger circuits.  
2. Features and benefits  
Direct triggering from low power drivers and logic ICs  
High blocking voltage capability  
Isolated package  
Planar passivated for voltage ruggedness and reliability  
Sensitive gate for easy logic level triggering  
Triggering in all four quadrants  
•
•
•
•
•
•
3. Applications  
General purpose motor control  
General purpose switching  
•
•
4. Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VDRM  
repetitive peak off-  
state voltage  
-
-
800  
V
ITSM  
non-repetitive peak on- full sine wave; Tj(init) = 25 °C;  
-
-
-
-
35  
4
A
A
state current  
tp = 20 ms; Fig. 4; Fig. 5  
IT(RMS)  
RMS on-state current  
full sine wave; Th ≤ 98 °C; Fig. 1; Fig. 2;  
Fig. 3  
Static characteristics  
IGT gate trigger current  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
-
-
-
-
-
-
10  
10  
10  
mA  
mA  
mA  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G-;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
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