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BT168G

更新时间： 2024-11-14 17:00:59
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瑞能 - WEEN /
页数 文件大小 规格书
13页 257K
描述
Planar passivated Silicon Controlled Rectifier with sensitive gate in a SOT54 (TO-92) plastic package. This SCR is designed to be interfaced directly to microcontrollers, logic ICs and other low power gate trigger circuits.

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BT168G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SC-43A, 3 PINReach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.65
其他特性：SENSITIVE GATE配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：0.2 mAJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：0.8 A参考标准：IEC-60134
断态重复峰值电压：600 V重复峰值反向电压：600 V
表面贴装：NO端子面层：TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

BT168G 数据手册

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BT168G  
SCR  
21 August 2018  
Product data sheet  
1. General description  
Planar passivated Silicon Controlled Rectifier with sensitive gate in a SOT54 (TO-92) plastic  
package. This SCR is designed to be interfaced directly to microcontrollers, logic ICs and other low  
power gate trigger circuits.  
2. Features and benefits  
•
Guaranteed minimum gate trigger current limit  
•
•
•
•
Enhanced voltage capability  
Planar passivated for voltage ruggedness and reliability  
Sensitive gate  
Direct triggering from low power gate circuits and logic ICs  
3. Applications  
•
•
•
Ground Fault Interrupters (GFI)  
Leakage Current Circuit Breakers (LCCB)  
Residual Current Devices (RCD)  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VRRM  
repetitive peak reverse  
voltage  
-
-
600  
V
IT(AV)  
IT(RMS)  
ITSM  
average on-state  
current  
half sine wave; Tlead ≤ 83 °C; Fig. 1  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5  
0.8  
8
A
RMS on-state current  
half sine wave; Tlead ≤ 83 °C; Fig. 2;  
Fig. 3  
A
non-repetitive peak on- half sine wave; Tj(init) = 25 °C;  
state current  
A
tp = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5  
half sine wave; Tj(init) = 25 °C;  
tp = 8.3 ms  
9
A
Tj  
junction temperature  
125  
°C  
Static characteristics  
IGT  
gate trigger current  
VD = 12 V; IT = 10 mA; Tj = 25 °C;  
Fig. 7  
20  
50  
200  
µA  
Dynamic characteristics  
 
 
 
 
1234567...13

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与BT168G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BT168G,112 NXP

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 		BT168G
BT168GT/R NXP

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8 A, 600 V, SCR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
BT168GT/R PHILIPS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 500mA I(T), 600V V(DRM),
BT168GW NXP

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 		Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications
BT168GW WEEN

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