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BT1308W-600D,115

更新时间： 2024-11-24 17:50:07
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恩智浦 - NXP 三端双向交流开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 229K
描述
BT1308W-600D

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BT1308W-600D,115 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SC-73包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.21
其他特性：SENSITIVE GATE外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：30 V/us
最大直流栅极触发电流：7 mA最大直流栅极触发电压：2 V
最大维持电流：10 mAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3最大漏电流：500 mA
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：0.8 A断态重复峰值电压：600 V
子类别：TRIACs表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

BT1308W-600D,115 数据手册

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BT1308W-600D  
4Q Triac  
20 August 2013  
Product data sheet  
1. General description  
Planar passivated four quadrant triac in a SOT223 surface-mountable plastic package.  
This very sensitive gate "series D" triac is intended to be interfaced directly to  
microcontrollers, logic integrated circuits and other low power gate trigger circuits.  
2. Features and benefits  
Direct interfacing to logic level ICs  
Direct interfacing to low power gate drivers and microcontrollers  
High blocking voltage capability  
Planar passivated for voltage ruggedness and reliability  
Surface-mountable package  
Triggering in all four quadrants  
•
•
•
•
•
•
•
Very sensitive gate  
3. Applications  
AC Fan controller  
General purpose low power phase control  
General purpose low power switching  
•
•
•
4. Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VDRM  
repetitive peak off-  
state voltage  
-
-
600  
V
ITSM  
non-repetitive peak on- full sine wave; Tj(init) = 25 °C;  
-
-
-
-
9
A
A
state current  
tp = 20 ms; Fig. 4; Fig. 5  
IT(RMS)  
RMS on-state current  
full sine wave; Tsp ≤ 107 °C; Fig. 1;  
Fig. 2; Fig. 3  
0.8  
Static characteristics  
IGT gate trigger current  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;  
Tj = 25 °C; Fig. 9  
-
-
1
2
5
5
mA  
mA  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-;  
Tj = 25 °C; Fig. 9  
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