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BT131-800

更新时间： 2024-10-31 17:01:43

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瑞能 - WEEN		/
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13页	506K
描述
Planar passivated very sensitive gate four quadrant triac in a TO92 plastic package intended for interfacing with low power drivers including microcontrollers.

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BT131-800 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.73
其他特性：	SENSITIVE GATE	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1 A	断态重复峰值电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：	1

BT131-800 数据手册

BT131-800

4Q Triac

Rev.02 - 11 April 2022

Product data sheet

1. General description

Planar passivated very sensitive gate four quadrant triac in a TO92 plastic package intended for

interfacing with low power drivers including microcontrollers.

2. Features and beneﬁts

•

Direct interfacing to logic level ICs

•

Direct interfacing with low power gate drivers and microcontrollers

High blocking voltage capability

Planar passivated for voltage ruggedness and reliability

Triggering in all four quadrants

Very sensitive gate

3. Applications

•

Air conditioner indoor fan

General purpose low power motor control

General purpose switching and phase control

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Absolute maximum rating

V_DRM

I_T(RMS)

I_TSM

repetitive peak oﬀ-state

voltage

800

RMS on-state current

full sine wave; T_lead≤ 51.2 °C;

Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3

non-repetitive peak on- full sine wave; T_j(init)= 25 °C; t_p= 20 ms;

12.5

state current

Fig. 4; Fig. 5

full sine wave; T_j(init)= 25 °C; t_p= 16.7 ms

13.7

125

T_j

junction temperature

°C

Static characteristics

I_GT

gate trigger current

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A; T2+ G+;

T_j= 25 °C; Fig. 7

0.4

1.3

1.4

3.8

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A; T2+ G-;

T_j= 25 °C; Fig. 7

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A; T2- G-;

T_j= 25 °C; Fig. 7

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A; T2- G+;

T_j= 25 °C; Fig. 7

I_H

holding current

V_D= 12 V; T_j= 25 °C; Fig. 9

I_T= 1.4 A; T_j= 25 °C; Fig. 10

1.3

1.2

V_T

on-state voltage

1.5

12 3 4 5 6 7...13

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