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BSR16

更新时间: 2024-11-29 22:27:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 49K
描述
PNP switching transistors

BSR16 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.14
最大集电极电流 (IC):0.6 A基于收集器的最大容量:8 pF
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.25 W认证状态:Not Qualified
参考标准:AEC-Q101; IEC-60134子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
最大关闭时间(toff):365 ns最大开启时间(吨):40 ns
VCEsat-Max:1.6 VBase Number Matches:1

BSR16 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BSR15; BSR16  
PNP switching transistors  
1999 Apr 15  
Product specification  
Supersedes data of 1997 May 14  

BSR16 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SMBT2907AE6327 INFINEON

功能相似

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
MMBT2907ALT1G ONSEMI

功能相似

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600mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
BSR16_NL FAIRCHILD

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236A
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Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
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TRANSISTOR 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa