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BSR16T/R

更新时间: 2024-10-14 20:38:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 279K
描述
600mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

BSR16T/R 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.17
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.6 A
基于收集器的最大容量:8 pF集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified参考标准:AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
最大关闭时间(toff):365 ns最大开启时间(吨):40 ns
VCEsat-Max:1.6 VBase Number Matches:1

BSR16T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BSR15; BSR16  
PNP switching transistors  
Product data sheet  
2004 Jan 13  
Supersedes data of 1999 Apr 15  

与BSR16T/R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSR16-TAPE-13 NXP

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BSR16TR13 CENTRAL

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Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
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BSR16TRL13 NXP

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TRANSISTOR 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
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High current (max. 100 mA). Low voltage (max. 40 V). Emitter-base voltage VEBO 6 V