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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.16 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A |
| 基于收集器的最大容量： | 8 pF | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 250 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 35 ns | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSR14T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, PLAST |
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| BSR14-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BSR14-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BSR14TR | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| BSR14TR13 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| BSR14TRL | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BSR14TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BSR14TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BSR14TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BSR15 | TYSEMI |
获取价格 |
High current (max. 600 mA). Low voltage (max. 60 V). |
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