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BSR15

更新时间: 2024-11-04 22:27:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 84K
描述
PNP General Purpose Amplifier

BSR15 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.37
最大集电极电流 (IC):0.8 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.35 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
最大关闭时间(toff):100 ns最大开启时间(吨):45 ns

BSR15 数据手册

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BSR15  
PNP General Purpose Amplifier  
This device designed for use as general purpose amplifier and  
switches requiring collector currents to 500mA.  
Sourced from Process 63.  
3
See BCW68G for Characteristics.  
2
SOT-23  
Mark: T7  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-40  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CEO  
-60  
V
CBO  
EBO  
-5.0  
V
I
- Continuous  
-800  
mA  
°C  
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ +150  
J
ST  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, July 2002  

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