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BSR15

更新时间： 2024-10-11 22:27:55

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管开关光电二极管
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2页	124K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BSR15 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
基于收集器的最大容量：	8 pF	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	最大关闭时间（toff）：	365 ns
最大开启时间（吨）：	40 ns	VCEsat-Max：	1.6 V

BSR15 数据手册

BSR 15, BSR 16

PNP

Switching Transistors

PNP

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

±0.1

Plastic case

SOT-23

1.1

2.9

0.4

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

1.9

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BSR 15

40 V

BSR 16

60 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

B open

E open

C open

- V_CE0

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

60 V

5 V

250 mW ¹)

600 mA

800 mA

200 mA

150ꢀC

- I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - I_CM

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

- I_BM

T_j

T_S

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Min.

Typ.

Max.

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, - V_CB= 50 V

I_E= 0, - V_CB= 50 V, T_j= 150ꢀC

I_E= 0, - V_CB= 60 V

I_E= 0, - V_CB= 60 V, T_j= 150ꢀC

- I_CB0

–

20 nA

20 ꢀA

10 nA

10 ꢀA

BSR 15

- I_CB0

BSR 16

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

I_C= 0, - V_EB= 5 V

- I_EB0

–

50 nA

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

01.11.2003

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