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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CHIP CARRIER, R-MBCC-N2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.82 | 雪崩能效等级（Eas）： | 20 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.007 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-MBCC-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSF030NE2LQ | INFINEON |
功能相似  |
n-Channel Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSF053N03LTG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-MOSFET |
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| BSF053N03LTGXUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSF053N03LTGXUSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSF073NE2LQG | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 25V, 0.0142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSF077N06NT3G | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
|
| BSF083N03LQG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-MOSFET |
|
| BSF-108+ | MINI |
获取价格 |
Band Reject Filter, 98MHz, ROHS COMPLIANT, CASE HF1139-8 |
|
| BSF110N06NT3G | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSF110N06NT3GXUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSF134N10NJ3 G | INFINEON |
获取价格 |
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