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BSF053N03LTGXUSA1

更新时间： 2024-09-29 14:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 563K
描述
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, METAL, WDSON-2, 3 PIN

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BSF053N03LTGXUSA1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, R-MBCC-N3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：75 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.0053 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-MBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：METAL
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：284 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSF053N03LTGXUSA1 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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